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CMSI 元素戦略WG 「電子材料の部」 実験計算連携検討会<終了>

作者: admin — 最終変更 2013年10月30日 05時12分
日時 2011年12月05日
13時00分 から 18時30分 まで
場所 東京大学本郷キャンパス 理学部4号館3階1320号室
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(last updated 11/29/2011)

 

【開催要項】

日程:  平成23年12月5日(月) 13:00~18:30
会場:  東京大学本郷キャンパス 理学部4号館3階1320号室 [会場地図]
参加費: 無料

*参加お申込みへ

 

【開催趣旨】

HPCI戦略プログラム分野2に対し、文科省ナノ室で推進する「元素戦略」プロジェクトより連携依頼が来ており、WGを設けて検討を開始しました。今回は、「電子材料」にフォーカスした下記検討会にて、第一人者の先生方にご講演を賜り、実験研究に計算物質科学がどのように貢献できるのかを議論したいと考えております。

 

【プログラム】

司会:大野かおる(横国大)
13:00-13:20  ご挨拶 (文科省) 
CMSI主旨説明

13:20-13:50   「電子材料の元素戦略に向けて」
[実験代表] 細野秀雄 (東工大)

【Dirac Cone, トポロジカル絶縁体】
13:50-14:20  「物質の幾何対称性と物性:非調和フォノン、ディラックコーン、トポロジカル絶縁体」 
[実験]谷垣勝己 (東北大WPI-AIMR・理) 

【鉛フリー強誘電体】 
14:20-14:40  「第一原理計算と分子動力学計算から見えるBaTiO3とPbTiO3の相違」 
[理論] 西松毅 (東北大金研) 
14:40-15:00  「負圧効果による強誘電体相転移の制御」 
[実験] 符 徳勝 (静岡大) 
15:00-15:30  「界面制御による高性能非鉛系圧電材料の開発」 
[実験] 和田智志 (山梨大)

15:30-16:00  ・・ コーヒーブレーク ・・

司会: 常行真司 (東大)
【半導体(高移動度材料)】
16:00-16:30  「III-V族化合物半導体材料―GaAsを中心に」 
[実験] 近藤高志 (東大工) 
16:30-17:00  「コンピューティクスによる物質デザイン:ナノ形状と機能」 
[理論] 押山淳 (東大工)  

【分子エレクトロニクス】
17:00-17:30  「エレクトロマイグレーションを用いた原子スケール電極加工と単一分子トランジスタ」 
[実験] 平川一彦 (東大生研)  
17:30-18:00  「非平衡伝導に伴う局所発熱と緩和過程の理論」 
[理論] 浅井美博 (産総研) 

18:00-18:30  統合討論

 

【参加申込み】

こちら からお申込ください。

 

【旅費・宿泊】

旅費は、CMSI 関係者に対し予算の範囲内で援助いたします。

 

【主催】

計算物質科学イニシアティブ(CMSI)「元素戦略」WG

 

【お問い合わせ】

CMSI 事務局
email: adm-office@cms-initiative.jp