"Avoiding critical-point phonon instabilities in two-dimensional materials: The origin of the stripe formation in epitaxial silicene"
作者: 下敷領 恵美
â
最終変更
2015年02月18日 16時41分
C.-C. Lee, A. Fleurence, R. Friedlein, Y. Yamada-Takamura, and T. Ozaki, Phys. Rev. B 90, 241402(R) (2014)
李らは第一原理計算によってZrB_2基板上でのシリセンのエピタキシャル成長におけるストライプパターン生成の原因を突き止めた。一様な表面ではフォノンの不安定性がみられ、その不安定モードが成長すると縞状のパターンが自発的に形成されることを明らかにしました。エピタキシャル成長における基板格子とのミスマッチが引き起こす２次元構造の制御方法の開発に繋がることが期待されます。
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.241402
（CMSI週刊ニュースvol.42(2.6.2015)掲載）
