現在位置: ホーム ニュース 研究ハイライト "Density-functional-theory-based calculations of formation energy and concentration of the silicon monovacancy"

"Density-functional-theory-based calculations of formation energy and concentration of the silicon monovacancy"

作者: 下敷領 恵美 — 最終変更 2015年09月04日 11時23分
Sholihon et al., Jpn. J. Appl. Phys. 54, 041301 (2015)

第一原理計算によりSi中の単一空孔の生成エネルギーと平衡濃度が定量的に見積 もられました。スーパーセルサイズに関する収束性を丁寧に調べ、1728原子セルを 用いて、それぞれ3.46eV、7.4x10^16cm^-3(Siの融点で)となり、実験値との良い 一致を得ました。格子振動の効果はたいへん重要で、空孔濃度を4桁も増大させる 結果を得ました。大規模セルを用いた第一原理計算により、精度の高い空孔の電子 状態の評価が示されました。

(CMSI週刊ニュースvol.72(9.3.2015)に掲載)