強誘電体薄膜における「負の誘電率」発現の原子論的シミュレーションに成功－半導体デバイス微細化への道を拓く－

作者: 下敷領恵美 â 最終変更 2015年11月26日 14時31分

東京大学マテリアル工学専攻渡邉聡教授・物性研究所笠松助教らの研究グループは、原子・電子の動きを予測する原子論的なシミュレーションをスーパーコンピュータ上で行うことで、デバイス中の原子数個分の厚さの強誘電体薄膜に電圧を加えたときに、分極ドメイン構造が消失することで負の誘電率が発現する機構を初めて明らかにしました。