現在位置: ホーム 研究成果 重点課題: 密度汎関数法によるナノ構造の電子機能予測に関する研究

重点課題: 密度汎関数法によるナノ構造の電子機能予測に関する研究

作者: 三浦 淳子 — 最終変更 2015年03月26日 15時27分

研究代表者
押山淳(東大院・工)

研究担当者
岩田潤一(東大院・工)、重田育照(筑波大・計算科学研究セ)、Boero Mauro(ルイパスツール大)、宮崎剛(物材機構・理論計算科学ユニット)、Bowler David(ロンドン大)、渡邉聡(東大院・工)、Md.Moshiour Rahaman(東大院・工)、小野倫也(筑波大計算科学研究センター)、赤井久純(東大・物性研)、内田和之(東大院・工)、酒井佑規(東大院・工)、Kirkham Christopher(阪大院・工),信定克幸(自然科学研究機構・分子研)、矢花一浩(筑波大院・数理物質科学)、渡辺一之(東京理大院・理)、野田真史(自然科学研究機構・分子研)、朴泰祐(筑波大院・システム情報工)

研究課題と成果

 

研究成果データベース(RISTのHPCI研究成果データベースへ)
-密度汎関数法によるナノ構造の電子機能予測に関する研究(対象:シリコンナノワイヤー/シリコン上ゲルマニウムハットクラスター)

-密度汎関数法によるナノ構造の電子機能予測に関する研究

 

研究成果の解説

 

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